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第593章【新的技术痛点——光刻胶】(2/2)

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财务投入就已经超过了3万亿人民币,其中仅光刻设备的研发投入就已经超过了6600多个亿,这都是‘补课费’啊,也是用爱发电,不惜成本,讲道理我已经被掏空了,不会再有第二个3万亿砸进来了。”

罗晟这话引得众人哄笑连连,国产集成电路事业这六年来默默蛰伏砥砺前行,自然是整个团队的功劳,但大家也都知道,能够取得这种里程碑式的突破,离不开罗晟这个人。

没有他的魄力之举,没有他的资金支持和关键技术的支持,以及他强大的凝聚力把整个行业的顶尖人才汇聚在一起,国产集成电路事业想要取得今天的成绩是绝对不可能实现的。

要轮最大的贡献者是谁,肯定是罗晟,对此没有人不服。

罗晟接道:“所以,透过紫星光刻机正式迈入商用化是要提上日程了,不过在场的人都是搞技术的,商业化有别的团队会来搞,我们今天还是要谈技术问题,极紫外光刻机的突破并不意味着国产集成电路事业高端制造就已经完全自主化咯,不怕告诉各位,我们至今为止才实现了40的目标,还有60的目标仍然有待攻克。”

此话一出算是把众人从喜悦的氛围中泼了一盆冷水,冷静了下来。

是啊,半导体事业之所以难,就难在这里,前面仿佛有着永远闯不完的关卡,核心环节依然没有实现全部国产自主化。

例如芯片的晶圆提纯技术,目前国产相关厂商还没有达到高精尖的地步,这个环节被日本的信越化工所垄断的,全世界的高端芯片晶圆都用的是信越化工,如果他不给你高纯度晶圆,整个行业依然是趴窝的状态。

换句话说,罗晟这3万亿的投入依然不能实现整个国产高端芯片业的自主化,对方只要卡你个一年半载,钱就可能打水漂了。

还有其他关键环节也是。

国产半导体全产业链自主化道路,任重道远。

罗晟沉声道:“目前业界的消息是,明年抬积电和三星都已经成功将euv技术导入10纳米并开始量产,在高端芯片制造领域,我们现在已经是处于顶尖梯队了,光源搞定了,但一些技术和材料依然是一个巨大的挑战,就是进入摩尔定律新的篇章之后,9纳米以下的工艺需要降低成本,分辨率更高的极紫外光刻胶技术。”

光刻胶,这就是下一个技术痛点了。

众人也都猜到了罗晟要讲什么了,如今的半导体工艺被推展至10纳米制程,但是实现特定图形变得越来越困难,并且多重曝光也带来了生产成本的上升。

罗晟继续道:“引入极紫外光刻技术后,其所扮演的角色是最新逻辑工艺的关键光刻层,在芯片制造商被引入之前,极紫外是有光刻机、光源、光刻胶和光掩膜组成。”

众人默默的点头,之前极紫外光刻技术的临界多在光源,因为光源的功率不足会影响芯片的生产效率。

而光源问题解决之后,新的挑战即是光刻胶技术的限制了。

……

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